상품

집 > 상품 > IGBT 모듈 EasyPIM > 1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

카테고리

IGBT 디스크리트

(2)

연락처

연락처: Mr. Zhou

전화: 86-1360-528-8329

지금 연락하세요

우리를 메일링하세요

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

Name: 1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
Brand: 1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
SKU: SPS15P12W1M4
Rating: 4.5 (196 reviews)

제품 세부 정보

모델 번호: SPS15P12W1M4

지불 및 배송 조건

가장 좋은 가격 을 구하라

제품 세부 정보

제품 설명

강조하다: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM, 1200V 15A IGBT PIM, 사용자 정의 IGBT PIM
                              

컬렉터전류:	100A	컬렉터 이미터 전압:	1200V
전류:	100A	게이트 발산자 충전:	120nC
게이트 방출기 저항:	1.5Ω	게이트 에미터 전압:	±20V
모듈 중량:	200g	작동 온도:	+150' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
패키지 종류:	이시피엠	역회복 시간:	50 나노 초
단락 회로 내성 타임즈 지:	10μs	전환 주파수:	20kHz
열 저항:	0.1°C/W	전압:	1200V
제품 이름:	드라이버 IGBT 모듈, IGBT 트랜지스터 모듈, 단일 Igbt 모듈

컬렉터전류:	100A
컬렉터 이미터 전압:	1200V
전류:	100A
게이트 발산자 충전:	120nC
게이트 방출기 저항:	1.5Ω
게이트 에미터 전압:	±20V
모듈 중량:	200g
작동 온도:	+150' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
패키지 종류:	이시피엠
역회복 시간:	50 나노 초
단락 회로 내성 타임즈 지:	10μs
전환 주파수:	20kHz
열 저항:	0.1°C/W
전압:	1200V
제품 이름:	드라이버 IGBT 모듈, IGBT 트랜지스터 모듈, 단일 Igbt 모듈

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

고체 전력-DS-SPS15P12W1M4-S040600003

1200V 15A IGBT PIM 모듈

1200V 15A IGBT PIM

특징:

□ 1200V 트렌치 + 필드 스톱 기술

□ 빠르고 부드러운 역복구력 가 있는 자유바퀴 다이오드

□ V_{CE (sat)}양 온도 계수

□ 변동 손실 이 적다

□ 단전 경직성

전형적 응용 프로그램:

□ 서보 드라이브

□ 변환기

□ 인버터

패키지

항목	기호	조건		가치			단위
격리 시험 전압	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
내부 격리		(클래스 1, IEC 61140) 기본 단열 (클래스 1, IEC 61140)		알₂오₃
크리핑 거리	크리프	온도 싱크로 연결		11.5			mm
	크리프	터미널에서 터미널		6.3
면허	d명료	온도 싱크로 연결		10.0			mm
	d명료	터미널에서 터미널		5.0
비교 추적 지수	CTI			>200

항목	기호	조건		가치			단위
				미네	타이프.	맥스
방랑 인덕턴스 모듈	LsCE				30		nH
모듈 납 저항, 단말기 - 칩	RCC+EE		T_C=25°C		8.00		mΩ
	RAA+CC				6.00
저장 온도	Tstg			-40		125	°C
클램프 당 장착 힘	F			20		50	N
무게	G				23		g

IGBT,/IGBT, 인버터

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
콜렉터-에미터 전압	VCES		T_vj=25°C	1200	V
최대 게이트 발사자 전압	VGES			±20	V
일시적인 게이트 발사자 전압	VGES	t_p≤10μs,D=001		±30	V
연속 DC 컬렉터 전류	난_C		T_C=25°C	20	A
연속 DC 컬렉터 전류	난_C		T_C=80°C	15	A
펄스 콜렉터 전류,tp T에 의해 제한_jmax	IC 펄스			30	A
전력 소모	Ptot			130	W

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
항목	기호	조건		미네	타이프.	맥스	단위
콜렉터-에미터 포화 전압	VCE (sat)	난_C=15A, V_GE=15V	T_vj=25°C		1.95	2.40	V
			T_vj=125°C		2.46
			T_vj=150°C		2.54
게이트 문정 전압	VGE (th)	V_CE=V_GE, 난_C=0.48mA		5.1	5.7	6.3	V
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj=25°C			100	μA
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj=150°C			5	mA
게이트-에미터 누출 전류	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj=25°C		-100		100	nA
게이트 요금	Q_G	V_CE=600V, I_C=15A, V_GE=±15V			0.1		μC
입력 용량	시스	V_CE=25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.9		nF
역전환 용량	크레스	V_CE=25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.04		nF
내부 게이트 저항	RGint	T_vj=25°C			0		오
켜기 지연 시간, 인덕티브 로드	켜져있어요	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		46		ns
			T_vj=125°C		42		ns
			T_vj=150°C		44		ns
상승 시간, 인덕티브 로드	t_r		T_vj=25°C		38		ns
			T_vj=125°C		41		ns
			T_vj=150°C		39		ns
끄는 지연 시간, 인덕티브 로드	td (제장)	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		215		ns
			T_vj=125°C		249		ns
			T_vj=150°C		259		ns
추락 시간, 인덕티브 로드	t_f		T_vj=25°C		196		ns
			T_vj=125°C		221		ns
			T_vj=150°C		203		ns
펄스당 켜기 에너지 손실	에온	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		1.57		mJ
			T_vj=125°C		2.12		mJ
			T_vj=150°C		2.25		mJ
펄스당 에너지 손실	오프		T_vj=25°C		0.89		mJ
			T_vj=125°C		1.07		mJ
			T_vj=150°C		1.16		mJ
SC 데이터	ISC	V_GE≤15V, V_CC=800V	tp≤10μs T_vj=150°C		70		A
IGBT 열 저항, 연결 케이스	RthJC					1.15	K /W
작동 온도	TJop			-40		150	°C

다이오드, 인버터

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
반복되는 역전압	VRRM		T_vj=25°C	1200	V
연속 동전 전류	난_F			15	A
다이오드 펄스 전류,tp T로 제한_Jmax	IF 펄스			30	A
난²t값	난²t	tp=10ms	T_vj=125°C	136	A²s

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
				미네	타이프.	맥스
전압	V_F	난_F=15A, V_GE=0V	T_vj=25°C		1.60	2.10	V
			T_vj=125°C		1.75
			T_vj=150°C		1.78
최고 역회복 전류	IRRM	난_F=15A dI_F/dt=-250A/μs (T)_vj=150°C) V_R=600V, V_GE=-15V	T_vj=25°C		13		A
			T_vj=125°C		15
			T_vj=150°C		17
회수 수수료	QRR		T_vj=25°C		1.87		μC
			T_vj=125°C		3.33
			T_vj=150°C		3.82
역회복 에너지 손실 당 펄스	에레크		T_vj=25°C		0.70		mJ
			T_vj=125°C		1.28
			T_vj=150°C		1.45
다이오드 열 저항, 연결 케이스	RthJCD					1.90	K /W
작동 온도	TJop			-40		150	°C

다이오드, 수정기

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
반복되는 역전압	VRRM		T_vj=25°C	1600	V
칩당 최대 RMS 전류	IFRMSM		T_C=80°C	16	A
직렬기 출력에서 최대 RMS 전류	IRMSM		T_C=80°C	16
전류 전류	IFSM	t_p=10ms	T_vj=25°C	190
I2t - 값	난²t	t_p=10ms	T_vj=25°C	181	A²s

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
항목	기호	조건		미네	타이프.	맥스	단위
전압	V_F	난_F=15A	T_vj=25°C		0.95		V
역류	난_R	V_R=1600V	T_vj=25°C			5	μA
다이오드 열 저항, 연결 케이스	RthJCD					1.50	K /W
작동 온도	TJop			-40		150	°C

IGBT, 브레이크 칩/IGBT

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
콜렉터-에미터 전압	VCES		T_vj=25°C	1200	V
최대 게이트 발사자 전압	VGES			±20	V
일시적인 게이트 발사자 전압	VGES	t_p≤10μs,D=001		±30	V
연속 DC 컬렉터 전류	난_C		T_C=80°C	15	A
펄스 콜렉터 전류,tp T에 의해 제한_jmax	IC 펄스			30	A
전력 소모	Ptot			130	W

IGBT, 브레이크 칩/IGBT

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
항목	기호	조건		미네	타이프.	맥스	단위
콜렉터-에미터 포화 전압	VCE (sat)	난_C=15A, V_GE=15V	T_vj=25°C		2.08	2.50	V
			T_vj=125°C		2.37
			T_vj=150°C		2.45
게이트 문정 전압	VGE (th)	V_CE=V_GE, 난_C=0.48mA		5.1	5.7	6.3	V
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj=25°C			100	μA
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj=150°C			5	mA
게이트-에미터 누출 전류	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj=25°C		-100		100	nA
게이트 요금	Q_G	V_CE=600V, I_C=15A, V_GE=±15V			0.1		μC
입력 용량	시스	V_CE=25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.86		nF
역전환 용량	크레스	V_CE=25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.02		nF
내부 게이트 저항	RGint	T_vj=25°C			0		오
켜기 지연 시간, 인덕티브 로드	켜져있어요	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		51		ns
			T_vj=125°C		47		ns
			T_vj=150°C		40		ns
상승 시간, 인덕티브 로드	t_r		T_vj=25°C		44		ns
			T_vj=125°C		48		ns
			T_vj=150°C		56		ns
끄는 지연 시간, 인덕티브 로드	td (제장)	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		216		ns
			T_vj=125°C		254		ns
			T_vj=150°C		262		ns
추락 시간, 인덕티브 로드	t_f		T_vj=25°C		194		ns
			T_vj=125°C		213		ns
			T_vj=150°C		219		ns
펄스당 켜기 에너지 손실	에온	V_CC=600V,I_C=15A R_G=40Ω V_GE=±15V	T_vj=25°C		0.92		mJ
			T_vj=125°C		1.21		mJ
			T_vj=150°C		1.31		mJ
펄스당 에너지 손실	오프		T_vj=25°C		0.88		mJ
			T_vj=125°C		1.11		mJ
			T_vj=150°C		1.15		mJ
IGBT 열 저항, 연결 케이스	RthJC					1.15	K /W
작동 온도	TJop			-40		150	°C

다이오드, 브레이크 힐퍼

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
반복되는 역전압	VRRM		T_vj=25°C	1200	V
연속 동전 전류	난_F			8	A
다이오드 펄스 전류,tp T로 제한_Jmax	IF 펄스			16	A
난²t값	난²t	tp=10ms	T_vj=125°C	25	A²s

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
				미네	타이프.	맥스
전압	V_F	난_F=8A, V_GE=0V	T_vj=25°C		1.88	2.40	V
			T_vj=125°C		1.96
			T_vj=150°C		1.90
최고 역회복 전류	IRRM	난_F=8A dI_F/dt=-200A/μs (T)_vj=150°C) V_R=600V, V_GE=-15V	T_vj=25°C		6		A
			T_vj=125°C		7
			T_vj=150°C		8
회수 수수료	QRR		T_vj=25°C		0.68		μC
			T_vj=125°C		1.22
			T_vj=150°C		1.32
역회복 에너지 손실 당 펄스	에레크		T_vj=25°C		0.27		mJ
			T_vj=125°C		0.49
			T_vj=150°C		0.53
다이오드 열 저항, 연결 케이스	RthJCD					1.90	K/W
작동 온도	TJop			-40		150	°C

NTC-더미스터

특징 가치

항목	기호	조건		가치	단위
등급 저항	R25		T_C=25°C	5.00	kΩ
B값	R25/50			3375	K

IGBT IGBT

출력 특징 IGBT, 인버터 (보통) 출력 특징 IGBT, 인버터 (보통)

난_C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 5

IGBT IGBT

이전 특징 IGBT, 인버터 (보통) 스위치 손실 IGBT, 인버터 (유례적)

난_C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20VV_GE= ±15V, I_C= 15A, V_CE= 600V

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 6

IGBT IGBTᄋᄋRBSOA)

변경 손실 IGBT, 인버터(기반적인) 뒤집어 편견 안전 운영 면적 IGBT, 인버터 (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 40Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_고프= 40Ω, T_vj= 150°C

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 7

IGBT

일시적 열력 임피던스 IGBT,전환기 전향 특징 의 다이오드, 인버터 (유례적)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 8

변경 손실 다이오드, 인버터 (보통) 스위치 손실 다이오드, 인버터 (보통)

E_레크= f (R_G) E_레크= f (I_F)

난_F= 15A, V_CE= 600V R_G= 40Ω, V_CE= 600V

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 9

일시적 열력 임피던스 다이오드, 인버터 앞쪽으로 특징 의 다이오드, 수정기 (유례적)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 10

IGBT

출력 특징,브레이크 헥퍼 (보통) 앞 특징 의 다이오드, 브레이크 힐퍼 (유례적)

난_C= f (V)_CE) I_F= f (V)_F)

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 11

NTC-온도계 온도 특징 (유례적)

R = f (T)

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 12

"IGBT 15A 1200V"는 단열 게이트 양극 트랜지스터를 의미하며, 현재가 15 암페어이고 전압은 1200 볼트이다.이 유형의 IGBT는 중간 전력 요구 사항이있는 응용 프로그램에 적합합니다., 가전제품, 소형 모터 드라이브 및 저전력 인버터와 같은 장치. 이 장치를 사용할 때 적절한 열 관리 조치가 필요합니다.및 특정 기술 사양 및 사용 지침은 특정 응용 요구 사항에 기초한 제조업체의 데이터 시트에서 찾을 수 있습니다..

회로 다이어그램 제목

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 13

패키지 윤곽

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 14

크기 (mm)

Tags:

IGBT 모듈 34mm

IGBT 모듈 62mm

IGBT 모듈 EconoDual3

IGBT 모듈 EasyPIM

IGBT 모듈 EconoPack

IGBT 모듈 EconoPIM

자동차 모듈

하이브리드 SiC 디스크리트

Mosfet 부품

IGBT 디스크리트

1200V 15A IGBT 모듈 EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003