Name: 750V 820A 자동차 전원 모듈 전자 풀 브리지 IGBT 모듈 OEM
Brand: 750V 820A 자동차 전원 모듈 전자 풀 브리지 IGBT 모듈 OEM
SKU: SPS820F08HDM4
Rating: 4.9 (119 reviews)

제품 세부 정보

모델 번호: SPS820F08HDM4

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                750V 820A 자동차 전원 모듈, 풀 브릿지 IGBT 모듈 OEM, OEM 자동차 전자 모듈
                              

인증서:	CE, FCC, 로에스	색상:	검은색
호환성:	대부분의 최신 차량과 호환 가능	연결성:	유선입니다
크기:	특정 모듈에 따라 달라집니다.	기능:	차량의 다양한 시스템을 제어 및 모니터링
소재:	플라스틱과 금속	작동 온도:	85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
동작 전압:	12v	종류:	전자적입니다
보증:	1년	무게:	특정 모듈에 따라 달라집니다.

인증서:	CE, FCC, 로에스
색상:	검은색
호환성:	대부분의 최신 차량과 호환 가능
연결성:	유선입니다
크기:	특정 모듈에 따라 달라집니다.
기능:	차량의 다양한 시스템을 제어 및 모니터링
소재:	플라스틱과 금속
작동 온도:	85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
동작 전압:	12v
종류:	전자적입니다
보증:	1년
무게:	특정 모듈에 따라 달라집니다.

750V 820A 자동차 전원 모듈 전자 풀 브리지 IGBT 모듈 OEM

솔리드 파워-DS-SPS820F08HDM4-S04090002

750V 820A IGBT 가득하다 다리 모듈

750V 820A IGBT

750V 820A 자동차 전원 모듈 전자 풀 브리지 IGBT 모듈 OEM 0

특징:

□ 750V 트렌치 + 필드 스톱 기술

□ 빠르고 부드러운 역복구력 가 있는 자유바퀴 다이오드

□ V_{CE (sat)}양 온도 계수

□ 변동 손실 이 적다

□ 단전 경직성

전형적 응용 프로그램:

□ 모터 드라이브

□ 하이브리드 전기차

□ 자동차용

□ 상업용 농업용 차량

패키지

항목	기호	조건		가치			단위
격리 시험 전압	VISOL	RMS, f = 0 Hz, t = 1 s		4.2			kV
모듈 기판의 재료				큐
내부 격리		(클래스 1, IEC 61140) 기본 단열 (클래스 1, IEC 61140)		알₂오₃
크리핑 거리	크리프	온도 싱크로 연결		9.0			mm
	크리프	터미널에서 터미널		9.0
면허	d명료	온도 싱크로 연결		4.5			mm
	d명료	터미널에서 터미널		4.5
비교 추적 지수	CTI			>200

항목	기호	조건		가치			단위
				미네	타이프.	맥스
방랑 인덕턴스 모듈	LsCE				10		nH
모듈 납 저항, 단말기 - 칩	RCC+EE		T_C=25°C		0.75		mΩ
저장 온도	Tstg			-40		125	°C
모듈 장착에 필요한 장착 토크	M4	히트 싱크에 대한 베이스플릿		1.8		2.2	Nm
	M3	프레임에 PCB		0.45		0.55	Nm
무게	G				725		g

IGBT

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
콜렉터-에미터 전압	VCES		T_vj=25°C	750	V
최대 게이트 발사자 전압	VGES			±20	V
일시적인 게이트 발사자 전압	VGES	t_p≤10μs,D=001		±30	V
적용 된 컬렉터 전류	ICN			820	A
연속 DC 컬렉터 전류	난_C	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
펄스 콜렉터 전류,tp T에 의해 제한_jmax	IC 펄스			1640	A
전력 소모	Ptot		T_F=75°C	769	W

항목	기호	조건		가치			단위
항목	기호	조건		미네	타이프.	맥스	단위
콜렉터-에미터 포화 전압	VCE (sat)	난_C=450A, V_GE=15V	T_vj=25°C		1.20	1.40	V
			T_vj=125°C		1.24
			T_vj=150°C		1.27
		난_C=820A, V_GE=15V	T_vj=25°C		1.40	1.60
			T_vj=125°C		1.55
			T_vj=150°C		1.60
게이트 문정 전압	VGE (th)	V_CE=V_GE, 난_C=9.6mA		5.1	5.8	6.5	V
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=750V, V_GE=0V	T_vj=25°C			100	μA
콜렉터-에미터 차단 전류	ICES	V_CE=750V, V_GE=0V	T_vj=150°C			5	mA
게이트-에미터 누출 전류	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj=25°C		-200원		200	nA
게이트 요금	Q_G	V_CE=400V, I_C=450A, V_GE=-8/+15V			1.6		μC
내부 게이트 저항	RGint				0.8		오
입력 용량	시스	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			42.4		nF
출력 용량	코스				3.1
역전환 용량	크레스				0.8
켜기 지연 시간, 인덕티브 로드	켜져있어요	V_CC=400V,I_C=450A R_콩=2.5Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj=25°C		90		ns
			T_vj=125°C		92		ns
			T_vj=150°C		96		ns
상승 시간, 인덕티브 로드	t_r		T_vj=25°C		64		ns
			T_vj=125°C		68		ns
			T_vj=150°C		70		ns
끄는 지연 시간, 인덕티브 로드	td (제장)	V_CC=400V,I_C=450A R_고프=5.1Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj=25°C		520		ns
			T_vj=125°C		580		ns
			T_vj=150°C		590		ns
추락 시간, 인덕티브 로드	t_f		T_vj=25°C		200		ns
			T_vj=125°C		310		ns
			T_vj=150°C		320		ns
펄스당 켜기 에너지 손실	에온	V_CC=400V,I_C=450A R_G=2.5Ω,R_고프=5.1Ω V_GE=-8/+15V	T_vj=25°C		15.0		mJ
			T_vj=125°C		18.0		mJ
			T_vj=150°C		20.0		mJ
펄스당 에너지 손실	오프		T_vj=25°C		33.5		mJ
			T_vj=125°C		41.0		mJ
			T_vj=150°C		43.0		mJ

항목	기호	조건		가치			단위
항목	기호	조건		미네	타이프.	맥스	단위
SC 데이터	ISC	V_GE≤15V, V_CC=400V	tp≤3μs T_vj=150°C			5400	A
IGBT 열 저항,점점 냉각 액체	RthJF					0.13	K /W
작동 온도	TJop			-40		175	°C

다이오드

최대 등급 가치

항목	기호	조건		가치	단위
반복되는 역전압	VRRM		T_vj=25°C	750	V
전속 전류	ICN			820	A
연속 동전 전류	난_F	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
다이오드 펄스 전류,tp T로 제한_Jmax	IF 펄스			1640	A

특징 가치

항목	기호	조건		가치			단위
				미네	타이프.	맥스
전압	V_F	난_F=450A, V_GE=0V	T_vj=25°C		1.20	1.60	V
			T_vj=125°C		1.16
			T_vj=150°C		1.14
		난_F=820A, V_GE=0V	T_vj=25°C		1.42	1.80
			T_vj=125°C		1.43
			T_vj=150°C		1.44
역회복 시간	trr	난_F=450A dI_F/dt=-6700A/μs (T)_vj=150°C) V_R=400V, V_GE=-8V	T_vj=25°C		122		ns
			T_vj=125°C		160
			T_vj=150°C		172
최고 역회복 전류	IRRM		T_vj=25°C		295		A
			T_vj=125°C		360
			T_vj=150°C		375
회수 수수료	QRR		T_vj=25°C		28.5		μC
			T_vj=125°C		40.5
			T_vj=150°C		43.5
역회복 에너지 손실 당 펄스	에레크		T_vj=25°C		6.2		mJ
			T_vj=125°C		11.7
			T_vj=150°C		13.2
다이오드 열 저항, 접합 냉각 액체	RthJFD					0.25	K /W
작동 온도	TJop			-40		175	°C

NTC-더미스터

특징 가치

항목

기호

조건

가치

단위

등급 저항

R25

T_C=25°C

5.00

kΩ

B값

R25/50

3375

출력 특징 (typical) 출력 특징 (유형적)

난_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

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IGBT

이전 특징 (typical) 전환 손실 IGBT (typical)

난_C= f (V)_GE) V_CE= 20V E = f (R_G)

V_GE-8/+15V, I_C= 450A, V_CE= 400V

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IGBT(RBSOA)

전환 손실 IGBT (유형) 역전 편견 안전 운영 면적 (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= -8/+15V, R_콩= 2.5Ω,R_고프= 5.1Ω, V_CE= 400V V_GE= -8/+15V, R_고프= 5.1Ω, T_vj= 150°C

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전형적 용량 as a 기능 수집기 발산기 전압 포트 충전 (기반)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 450A, V_CE= 400V

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IGBT

IGBT 일시적 열력 임피던스 전향 특징 의 다이오드 (유례적)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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전환 손실 다이오드 (typical) 전환 손실 다이오드 (typical)

E_레크= f (R_G) E_레크= f (I_F)

난_F= 450A, V_CE= 400V R_G= 2.5Ω, V_CE= 400V

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다이오드 일시적 열 임피던스 NTC-더미스터 온도 특징 (유례적)

Zth (j-c) = f (t) R = f (T)

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인버터 내의 IGBT 모듈은 고립 게이트 양극 트랜지스터 (IGBT) 및 기타 구성 요소를 포함하는 컴팩트 어셈블리입니다.IGBT는 모터 드라이브와 같은 장치에서 직류 (DC) 를 전류 (AC) 로 전환하고 변환하는 데 중요한 역할을합니다.이 모듈은 통합을 간소화하고 효율성과 신뢰성을 위해 적절한 냉각이 필수적입니다.

회로 다이어그램 제목

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