제품 세부 정보
모델 번호: SPS12MA12E4S
지불 및 배송 조건
현재 등급: |
40A |
게이트전하: |
120nC |
게이트 문턱 전압: |
4V |
분리 전압: |
2500V |
무연: |
네 |
증가하는 방식: |
구멍을 통해 |
온-상태 저항: |
0.015Ω |
패키지 종류: |
TO-247 |
역회복 시간: |
25 나노 초 |
로스 준수: |
네 |
단락 회로 내성 타임즈 지: |
10μs |
전환 주파수: |
100kHz |
온도 범위: |
-40°C ~ 175°C |
전압 등급: |
1200V |
현재 등급: |
40A |
게이트전하: |
120nC |
게이트 문턱 전압: |
4V |
분리 전압: |
2500V |
무연: |
네 |
증가하는 방식: |
구멍을 통해 |
온-상태 저항: |
0.015Ω |
패키지 종류: |
TO-247 |
역회복 시간: |
25 나노 초 |
로스 준수: |
네 |
단락 회로 내성 타임즈 지: |
10μs |
전환 주파수: |
100kHz |
온도 범위: |
-40°C ~ 175°C |
전압 등급: |
1200V |
솔리드 파워-DS-SPS12MA12E4S
1200V 12mΩ SiC MOSFET
특징:
□ 낮은 켜기 저항과 함께 높은 차단 전압
□ 낮은 용량으로 고속 스위치
□ 낮은 역회복 (Qrr) 을 가진 빠른 내성 다이오드
전형적 응용 프로그램:
□ PV 인버터
□ 충전전지
□ 에너지 저장 시스템
□ 산업용 전력 공급
□ 산업용 모터
최대 등급 @Tc=25°C (외면) 그렇지 않으면 정해져 있습니다)
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 |
| 배수 소스 전압 | VDSmax | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | V |
| 게이트 소스 전압 | VGSop | 정적 | -5/+20 | V |
| 최대 포트 소스 전압 | VGSmax | 정적 | -8/+22 | V |
|
연속 배수 전류 |
신분 |
VGS=20V, Tc=25°C | 214 |
A |
| VGS=20V, Tc=100°C | 151 | |||
| 펄스드레인 전류 | ID (동맥) | 펄스 너비 tp Tjmax로 제한됩니다 | 400 | A |
| 권력 분산 | PD | TC=25°C, Tj=175°C | 938 | W |
| 운용 요충지 범위 | Tj | -55에서 +175 | °C | |
| 저장 온도 범위 | Tstg | -55에서 +175 | °C |
전기 특징 @Tc=25°C (외면) 그렇지 않으면 정해져 있습니다)
| 항목 | 기호 | 조건 |
가치 미니 칩 최대 |
단위 | ||
| 배수 소스 분해 전압 | V ((BR) DSS | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | - | - | V |
| 게이트 임계 전압 |
VGS (th) |
VDS=VGS, ID=40mA | 2.0 | 2.7 | 3.5 | V |
| VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C | - | 1.9 | - | |||
| 제로 게이트 전압 배수 전류 | IDSS | VDS=1200V, VGS=0V | - | 2 | 100 | μA |
| 게이트 소스 누출 전류 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | 10 | 100 | nA |
|
소스 내 상태 저항 |
RDS (동) |
VGS=20V, ID=100A | - | 12 | 20 |
mΩ |
| VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C | - | 20 | - | |||
| VGS=18V, ID=100A | - | 13 | 25 | |||
| VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C | - | 21 | - | |||
| 반도체성 |
gfs |
VDS=20V, IDS=100A | - | 60 | - | S |
| VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C | - | 52 | - | |||
|
켜기 스위치 에너지 (보디 다이오드 FWD) |
에온 |
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S |
- |
5.2 |
- |
mJ |
| 턴오프 스위치 에너지 (보디 다이오드 FWD) |
오프 |
- | 3.7 | - | ||
|
켜기 지연 시간 |
켜져있어요 |
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH |
- |
24 |
- |
ns |
| 오기 시간 | tr | - | 149 | - | ||
| 끄는 지연 시간 | td (제장) | - | 145 | - | ||
| 가을 시간 | tf | - | 49 | - | ||
|
게이트에서 소스 충전 |
Qgs |
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A |
- |
215 |
- |
nC |
| 게이트에서 배수전하 | Qgd | - | 179 | - | ||
| 전체 게이트 요금 | Qg | - | 577 | - | ||
| 입력 용량 |
Ciss |
VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV |
- | 8330 | - |
pF |
| 출력 용량 | 코스 | - | 343 | - | ||
| 역전환 용량 | 크래스 | - | 57 | - | ||
| COSS 저장 에너지 | 에오스 | - | 217 | - | μJ | |
| 내부 게이트 저항 |
RG ((int) |
f=1MHz, VAC=25mV | - | 0.8 | - | 오 |
뒤집어 다이오드 특징 @Tc=25°C (외면) 그렇지 않으면 정해져 있습니다)
| 항목 기호 | 조건 |
가치 단위 미니 칩 최대 |
||||
| 다이오드 전압 |
VSD |
VGS=-5V, ISD=50A | - | 4.7 | 7 | V |
| VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C | - | 3.8 | - | V | ||
| 연속 다이오드 전류 |
IS |
VGS=-5V | - | 214 | - | A |
| 역회복 시간 | trr | VGS=-5V, | - | 46 | - | ns |
| 역환 수수료 | Qrr | ISD=100A, | - | 1 | - | nC |
| 피크 역회복 전류 | 이르 | VR=800V, di/dt=1597A/μs | - | 37 | - | A |
뒤집어 다이오드 특징 @Tc=25°C (외면) 그렇지 않으면 정해져 있습니다)
| 항목 기호 | 조건 | 가치 단위 | ||||
| 융합에서 케이스까지 열 저항 | RθJC | - | 0.16 | - | °C/W | |
| 융합에서 주변으로의 열 저항 |
RθJA |
- | 32 | - | °C/W | |
전형적 성능
전형적 성능
전형적 성능
전형적 성능
전형적 성능
이것은 1200V의 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET로, 12mΩ의 온 상태 저항이 있습니다.고주파 변환기 및 전기 차량과 같은 효율적인 전력 전자 응용 프로그램에 적합하도록 만드는.
패키지 윤곽: TO-247-4L
Tags:
