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1500V 3A IGBT 디스크리트 N 채널 시크 IGBT 모듈 DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

제품 세부 정보

모델 번호: SPS03NM15E3

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1500V 3A IGBT 디스크리트

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1500V 3A 시크 IGBT 모듈

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N 채널 시크 IGBT 모듈

1500V 3A IGBT 디스크리트 N 채널 시크 IGBT 모듈 DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

솔리드 파워 DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

1500V 3A N 채널 MOS 디스크리트

 

1500V 3A MOSFET 

 

 

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특징:

  • 빠른 전환
  • 낮은 ON 저항
  • 낮은 게이트 충전 전환 손실을 최소화
  • 빠른 회복 체질 다이오드

 

 

전형적 신청서:

  • 어댑터
  • 충전기
  • SMPS 대기 전원

 

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MOSFET MOSFET

출력 특성 MOSFET 전송 특성 MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C

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저항에 대한 정규화된 배수원자

RDSon ((P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1.3A VGS=10V VGS=10V

 

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MOSFET

다이오드 게이트 충전 특성 MOSFET의 전향 특성

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

 

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MOSFET

용량 특성 MOSFET 최대 전력 분산

C=f ((VDS) PD=f ((TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

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최대 배수 전류 전향 편향 안전 운영 구역 (FBSOA)

ID=f ((TC)

 

 

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MOSFET

임시 열 인피던스 MOSFET

ZthJC=f (t)

 

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이것은 1500V의 전압 등급과 3A의 전류 등급을 가진 N 채널 금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 (MOSFET) 입니다.N 채널 MOSFET는 다양한 전자 응용 프로그램에서 일반적으로 사용되는 반도체 장치입니다., 전원 공급 장치, 증폭기 및 스위치 회로를 포함합니다. 1500V는 장치가 처리 할 수있는 최대 전압을 나타냅니다. 3A는 최대 전류를 나타냅니다.특정 용도로, MOSFET의 신뢰성 및 성능을 보장하기 위해 적절한 드라이브 회로와 열 분산이 고려되어야합니다.

 

패키지 윤곽 

 

 

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