제품 세부 정보
모델 번호: SPS200F12K3
지불 및 배송 조건
컬렉터전류: |
50A |
컬렉터-이미터 전압: |
600V |
현재 등급: |
50A |
게이트전하: |
50nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
분리 전압: |
2500V |
최대 작업 온도: |
150' Ｃ |
패키지 종류: |
이코노팩 |
역회복 시간: |
100 나노 초 |
로스 준수: |
네 |
단락 회로 내성 타임즈 지: |
10μs |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
1.5°C/W |
전압 등급: |
600V |
컬렉터전류: |
50A |
컬렉터-이미터 전압: |
600V |
현재 등급: |
50A |
게이트전하: |
50nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
분리 전압: |
2500V |
최대 작업 온도: |
150' Ｃ |
패키지 종류: |
이코노팩 |
역회복 시간: |
100 나노 초 |
로스 준수: |
네 |
단락 회로 내성 타임즈 지: |
10μs |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
1.5°C/W |
전압 등급: |
600V |
솔리드 파워 DS-SPS200F12K3-S04030013 V10
1200V 200A IGBT 가득하다 다리 모듈
특징:
□ 1200V 트렌치 + 필드 스톱 기술
□ 빠르고 부드러운 역복구력 가 있는 자유바퀴 다이오드
□ VCE (sat)양 온도 계수
□ 변동 손실 이 적다
□ 단전 경직성
전형적응용 프로그램:
□ 자동차 운전
□ 서보 드라이브
□ 보조 인버터
패키지
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
|
격리 시험 전압 |
VISOL | RMS, f = 50 Hz, t = 1 min | 2.5 | kV | |||
|
모듈 기판의 재료 |
큐 | ||||||
|
내부 격리 |
(클래스 1, IEC 61140) 기본 단열 (클래스 1, IEC 61140) |
알2오3 | |||||
|
크리핑 거리 |
크리프 | 온도 싱크로 연결 | 10.0 | mm | |||
|
면허 |
d명료 | 온도 싱크로 연결 | 7.5 | mm | |||
|
비교 추적 지수 |
CTI | >200 | |||||
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
| 미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
|
방랑 인덕턴스 모듈 |
LsCE | 21 | nH | ||||
|
모듈 납 저항, 단말기 - 칩 |
RCC+EE | TC=25°C | 1.80 | mΩ | |||
|
저장 온도 |
Tstg | -40 | 125 | °C | |||
|
모듈 장착에 필요한 장착 토크 |
M5 | 3 | 6 | Nm | |||
|
무게 |
G | 300 | g | ||||
IGBT
최대 등급 가치
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |
|
콜렉터-에미터 전압 |
VCES | Tvj=25°C | 1200 | V | |
|
최대 게이트 발사자 전압 |
VGES | ±20 | V | ||
|
일시적인 게이트 발사자 전압 |
VGES | tp≤10μs,D=001 | ±30 | V | |
|
연속 DC 컬렉터 전류 |
난C | TC=60°C | 200 | A | |
|
펄스 콜렉터 전류,tp T에 의해 제한jmax |
IC 펄스 | 400 | A | ||
|
전력 소모 |
Ptot | 750 | W | ||
특징 가치
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
| 미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
|
콜렉터-에미터 포화 전압 |
VCE (sat) | 난C=200A, VGE=15V | Tvj=25°C | 1.60 | 2.10 |
V |
|
| Tvj=125°C | 1.80 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.85 | ||||||
|
게이트 문정 전압 |
VGE (th) | VCE=VGE, 난C=8mA | 5.2 | 6.0 | 6.7 | V | |
|
콜렉터-에미터 차단 전류 |
ICES | VCE=1200V, VGE=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
| Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
게이트-에미터 누출 전류 |
IGES | VCE=0V,VGE=±20V, Tvj=25°C | -200원 | 200 | nA | ||
|
게이트 요금 |
QG | VCE=600V, IC=200A, VGE=±15V | 1.6 | μC | |||
|
입력 용량 |
시스 | VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz | 24.7 |
nF |
|||
|
출력 용량 |
코스 | 0.9 | |||||
|
역전환 용량 |
크레스 | 0.2 | |||||
|
켜기 지연 시간, 인덕티브 로드 |
켜져있어요 |
VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω VGE=15V |
Tvj=25°C | 388 | ns | ||
| Tvj=125°C | 428 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 436 | ns | |||||
|
상승 시간, 인덕티브 로드 |
tr | Tvj=25°C | 44 | ns | |||
| Tvj=125°C | 52 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 56 | ns | |||||
|
끄는 지연 시간, 인덕티브 로드 |
td (제장) |
VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω VGE=15V |
Tvj=25°C | 484 | ns | ||
| Tvj=125°C | 572 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 588 | ns | |||||
|
추락 시간, 인덕티브 로드 |
tf | Tvj=25°C | 132 | ns | |||
| Tvj=125°C | 180 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 196 | ns | |||||
|
펄스당 켜기 에너지 손실 |
에온 |
VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω VGE=15V |
Tvj=25°C | 6.5 | mJ | ||
| Tvj=125°C | 9.6 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 11.2 | mJ | |||||
|
펄스당 에너지 손실 |
오프 | Tvj=25°C | 11.8 | mJ | |||
| Tvj=125°C | 16.4 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 17.3 | mJ | |||||
|
SC 데이터 |
ISC | VGE≤15V, VCC=800V | tp≤10μs Tvj=150°C | 750 | A | ||
|
IGBT 열 저항, 연결 케이스 |
RthJC | 0.20 | K /W | ||||
|
작동 온도 |
TJop | -40 | 150 | °C | |||
다이오드
최대 등급 가치
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |
|
반복되는 역전압 |
VRRM | Tvj=25°C | 1200 | V | |
|
연속 동전 전류 |
난F | 200 |
A |
||
|
다이오드 펄스 전류,tp T로 제한Jmax |
IF 펄스 | 400 | |||
특징 가치
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
| 미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
|
전압 |
VF | 난F=200A, VGE=0V | Tvj=25°C | 1.5 | 1.80 | 2.40 |
V |
| Tvj=125°C | 1.80 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.80 | ||||||
|
역회복 시간 |
trr |
난F=200A dIF/dt=-6000A/μs (T)vj=150°C) VR=600V, VGE=-15V |
Tvj=25°C | 864 |
ns |
||
| Tvj=125°C | 1170 | ||||||
| Tvj=150°C | 1280 | ||||||
|
최고 역회복 전류 |
IRRM | Tvj=25°C | 270 |
A |
|||
| Tvj=125°C | 290 | ||||||
| Tvj=150°C | 300 | ||||||
|
회수 수수료 |
QRR | Tvj=25°C | 22.6 |
μC |
|||
| Tvj=125°C | 34.8 | ||||||
| Tvj=150°C | 40.0 | ||||||
|
역회복 에너지 손실 당 펄스 |
에레크 | Tvj=25°C | 4.0 |
mJ |
|||
| Tvj=125°C | 13.7 | ||||||
| Tvj=150°C | 16.1 | ||||||
|
다이오드 열 저항, 연결 케이스 |
RthJCD | 0.30 | K /W | ||||
|
작동 온도 |
TJop | -40 | 150 | °C | |||
NTC-더미스터
특징 가치
| 항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |
|
등급 저항 |
R25 | TC=25°C | 5.00 | kΩ | |
|
B값 |
R25/50 | 3375 | K | ||
출력 특징 (typical) 출력 특징 (유형적)
난C= f (V)CE) IC= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
이전 특징 (유형적) 전환 손실 IGBT(전형적인)
난C= f (V)GE) VGE= ±15V, IC= 200A, VCE= 600V
VCE= 20VVGE= ±15V, IC= 200A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
변경 손실 IGBT(유형적) 역행 편견 안전 운영 면적 (RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 3.3Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, R고프= 3.3Ω, Tvj= 150°C
전형적 용량 그 외 a 기능 의 수집기 발산기 전압 게이트 부과(전형적인)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 200A, VCE= 600V
IGBT
IGBT 일시적 열력 임피던스 그 외 a 기능 의 맥박 너비 앞으로 특징 의 다이오드 (유례적)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
변경 손실 다이오드 (typical) 스위치 손실 다이오드 (유형)
E레크= f (RG) E레크= f (IF)
난F= 200A, VCE= 600V RG= 3.3Ω, VCE= 600V
다이오드 일시적 열력 임피던스 그 외 a 기능 의 펄스 너비 NTC-더미스터-온도 특징 (유례적)
Zth (j-c) = f (t) R = f (T)
이것은 1200V, 200A IGBT 풀 브리지 모듈입니다. 풀 브리지 구성은 일반적으로 모터 드라이브, 인버터 및 전원 공급 장치와 같은 전력 전자 응용 프로그램에서 사용됩니다.등급 전압은 모듈이 처리 할 수있는 최대 전압을 나타냅니다.이 고전력 모듈을 사용 할 때, 열 흡수, 냉각,그리고 보호 회로 는 신뢰성 있고 안전한 작동을 보장 하기 위해 필요 합니다.
회로 다이어그램 제목
패키지 윤곽
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