1200V 300A SiC MOSFET 반교통 모듈 반도체 DS-SPS300MB12G6S-S04310004

MOSFET

최대 등급 값/ 최대 금액值

항목

기호

조건

가치

단위

漏极-源极 전압

배수 소스 전압

VDSS

Tvj=25°C

1200

V

连续漏极 직류 전류

계속하세요s DC 배수 전류

난D

VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C

400

300

A

펄冲漏极 전류

펄스드레인 전류

난D 맥박

펄스 너비 tp제한적 에 의해Tvjmax

1200

A

총 전력 손실

전체 전력 분산의정

P잇

TC=25°C,Tvjmax=175°C

1153

W

최고 전압

최대 게이트- 소스 전압

VGSS

-10/25

V

성격이스틱 값/ 特征값

항목

기호

조건

미네 타이프. 맥스

단위

漏极-源极通态电阻

배수원 저항력

RDS( 에)

난D=300A,VGS=20V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

4.0

5.4 6.0

5.6

mΩ

mΩ

mΩ

极 值 전압

게이트 임계전압

VGS (th)

난C=90mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

난C=90mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

1.9

2.4

1.6

4.0

V

跨导

반도체성

gfs

VDS = 20 V, 난DS = 300 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, 난DS = 300 A, Tvj=150°C

211

186

S

极电荷

게이트 부과

QG

VGE=-5V... +20V

1170

nC

内部 极电阻

내부 게이트 저항기

R진트

Tvj=25°C

2.0

오

输入电容

입력 제한아시탄스

Cᄋ

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

25.2

nF

출력 전력

출력 용량

C에스

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

1500

pF

역방향 전송 용량

역전환스피어 용량

Cres

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

96

pF

零 电压漏极 전류

제로 게이트 v노화 배수 전류

난DSS

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

300

μA

¥极-源极 누출 전류

게이트 소스 이아카지 전류

난GSS

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

100

nA

开通延延时间(전기적 부하)

켜기 지연시간 인덕티브 부하

td( 에)

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

76

66

66

ns

ns

ns

上升时间(전기적 부하)

일어나야 돼 인덕티브 부하

tr

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

62

56

56

ns

ns

ns

关断延迟时间(전기적 부하)

턴오프 d이레이 시간, 인덕티브 부하

td(켜)

난D=300A, VDS=600V

VGS=-5/20V

R콩=2.5Ω

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

308

342

342

ns

ns

ns

下降时间(전기적 부하)

가을 시간, 인덕티브 부하

tf

R고프=2.5Ω

Lσ = 56 nH

인덕티브 로아d,

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

94

92

92

ns

ns

ns

开通 손실 에너지(각 충동)

켜기 에너지 손실 당 뽀이세

E에

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

5.55

4.35

4.35

mJ

mJ

断断损耗 에너지(각 펄冲)

켜버린 에너지 손실 당 맥박

E켜

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

12.10

12.35

12.35

mJ

mJ

结-外 热阻

열 저항성, ju에 대한 케이스

R이JC

일당 MOSFET / 각 MOSFET

0.12

K/W

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

Tvjop

-40150

°C

다이오드/二极管

최대 등급 값/ 최대액定值

항목

기호

조건

가치

단위

连续 직류 전류

용품의 연속 다이오드병동 전류

난F

VGS = -5V, TC = 25 ̊C

400

A

성격이스틱 값/ 特征값

항목

기호

조건

미네 타이프. 맥스

단위

정면 전압

전압

VSD

난F=300A, VGS=0V

Tvj=25°C Tvj=150°C

1.60

2.00

1.80

V

V

结-外 热阻

열 저항성, ju에 대한 케이스

R이JC

다이오드당/ 각 2도 파이프

0.13

K/W

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

Tvjop

-40 150

°C

모듈/ 模块

항목

기호

조건

가치

단위

绝缘 테스트 전압

격리시험 전압

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

소재 모듈 기판

큐

내부 절제

내부 격리

基本绝缘(클래스) 1, 난유럽 연합 61140)

기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140)

알2오3

爬电距离

크리페이지탕스

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

29.0

23.0

mm

电气间隙

면허

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

23.0

11.0

mm

비교 전기 흔적 지수

비교 추적 지수

CTI

> 400

항목

기호

조건

미네

타이프.

맥스

단위

杂散电感,模块

방치 인덕턴스 모듈

LsCE

20

nH

모듈 유도선 전기 저항,끝자-칩

모듈 납 저항, 터미널 - 칩

RCC+EE

TC=25°C

0.465

mΩ

저장 온도

저장 시간횡단

Tstg

-40

125

°C

模块安装의 설치 扭矩

장착 톱에 대해 모듈 장착

M5

2.50

5.00

Nm

端子 连接 扭矩

터미널 연결n 토크

M6

3.00

5.00

Nm

무게

무게

G

300

g