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체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

제품 세부 정보

모델 번호: SPS120MB12G6S

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시크 MOSFET 전원 모듈 1200V

,

120A 시크 MOSFET 전원 모듈

,

120A 시크 MOSFET 모듈

구성:
싱글
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
200A
경향 - 수집기 펄스용 (Icm):
400A
모듈 타입:
IGBT
장착형:
섀시 마운트
작동 온도:
-40' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
모듈
패키지 종류:
62mm
전원 - 맥스:
600W
공급자의 장치 패키지:
62mm
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
2.5V @ 15V, 100A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
1200V
구성:
싱글
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
200A
경향 - 수집기 펄스용 (Icm):
400A
모듈 타입:
IGBT
장착형:
섀시 마운트
작동 온도:
-40' C ~ 150' C
패키지 / 케이스:
모듈
패키지 종류:
62mm
전원 - 맥스:
600W
공급자의 장치 패키지:
62mm
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
2.5V @ 15V, 100A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
1200V
체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

고체 전력-DS-SPS120MB12G6S-S04310003

 

1200V 120A SiC MOSFET 절반 다리 모듈

 

     체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

특징:

  • 고주파 전환 응용 프로그램
  • 다이오드로부터 0 역회복 전류
  • MOSFET의 제로 턴 오프 꼬리 전류
  • 아주 낮은 손실
  • 병렬화 하는 것

전형적 신청서:

  • 인덕션 난방
  • 태양광 및 풍력 인버터
  • DC/DC 변환기
  • 배터리 충전기체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

최대 등급 값/ 최대额定值

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

 

漏极-源极 전압

배수 소스 전압

 

VDSS

 

TVj=25°C

 

1200

 

V

 

连续漏极 직류 전류

연속 DC 배수 전류

 

신분

 

VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

A

 

펄冲漏极 전류

펄스드레인 전류

 

신분 맥박

 

펄스 너비 tp제한적 에 의해TVjmax

 

480

 

A

 

총 전력 손실

전체 전력 분산

 

Ptot

 

TC=25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

최고 전압

최대 포트 소스 전압

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

특징적 인 가치/ 特征값

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네 타이프. 맥스

 

단위

 

漏极-源极通态电阻

배수원 저항력

 

 

RDS( )

 

신분=120A,VGS=20V

 

TVj=25°C

TVj=125°C

TVj=150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

极 值 전압

게이트 문정 전압

 

 

VGS (th)

 

IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V

 

跨导

 

반도체성

 

gfs

 

VDS = 20 V, DS = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, DS = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

极电荷

게이트 부과

 

본부

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻

내부 게이트 저항기

 

RGint

 

TVj=25°C

 

2.2

 

 

 

输入电容

입력 용량

 

시스

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

출력 전력

출력 용량

 

 

코스

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

역방향 전송 용량

역전환 용량

 

 

크레스

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压漏极 전류

제로 게이트 전압 배수 전류

 

IDSS

 

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μA

 

¥极-源极 누출 전류

게이트 소스 누출 전류

 

IGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延延时间(전기적 부하)

켜기 지연시간 인덕티브 부하

 

 

td( )

 

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

ns

ns

ns

 

上升时间(전기적 부하)

일어나야 돼 인덕티브 부하

 

tr

 

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(전기적 부하)

끄는 지연 시간 인덕티브 부하

 

 

td()

 

신분=120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3.3Ω

 

TVj=25°C

TVj=125°C

TVj=150°C

 

128

140

 

140

 

ns

ns

ns

 

下降时间(전기적 부하)

가을 시간, 인덕티브 부하

 

tf

 

RGoff=3.3Ω

= 56 nH

 

인덕티브 부하

 

TVj=25°C

TVj=125°C

TVj=150°C

 

62

62

 

62

 

ns

ns

ns

 

开通 손실 에너지(각 충동)

켜기 에너지 손실 맥박

 

 

에온

 

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

mJ

mJ

 

断断损耗 에너지(각 펄冲)

켜버린 에너지 손실 맥박

 

오프

 

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

mJ

mJ

 

 

结-外 热阻

저항성, ju에 대한 케이스

 

RthJC

 

일당 MOSFET / MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

 

 

TVjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

다이오드/二极管

 

최대 등급 값/ 최대额定值

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

 

连续 직류 전류

연속 다이오드 앞면 전류

 

 

IF

 

VGS = -5V, TC = 25 ̊C

 

177

 

A

 

특징적 인 가치/ 特征값

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네 타이프. 맥스

 

단위

 

정면 전압

전압

 

 

VSD

 

 

IF=120A, VGS=0V

 

TVj=25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

저항성, ju에 대한 케이스

 

RthJC

 

다이오드당 각 2도 파이프

 

0.30

 

K/W

 

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

 

TVjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

모듈/ 模块

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

 

绝缘 테스트 전압

격리 시험 전압

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

소재 모듈 기판

   

 

 

 

 

내부 절제

내부 격리

 

 

基本绝缘(클래스) 1, 유럽 연합 61140)

기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140)

 

알2O3

 

 

爬电距离

크리핑 거리

 

 

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 터미널

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

면허

 

 

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 터미널

 

23.0

11.0

 

mm

 

비교 전기 흔적 지수

비교 추적 지수

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네

 

타이프.

 

맥스

 

단위

 

杂散电感,模块

방치 인덕턴스 모듈

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

모듈 유도선 전기 저항,끝자-

모듈 저항, 터미널 -

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

저장 온도

 

저장 온도

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装의 설치 扭矩

장착 토크 모듈 장착

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 扭矩

터미널 연결 토크

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

무게

 

무게

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

출력 특성 MOSFET (유형) 출력 특성 MOSFET (유형)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

TVj=25°C TVj=150°C

 

 

  체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

저항에 대한 정상화 된 배수 소스 (유형적) 저항에 대한 정상화 된 배수 소스 (유형적)

RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)

IDS=120A VGS=20V VGS=20V

 

 

    체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

저항에 대한 배수 소스 (유형) 임계 전압 (유형)

RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA

 

    체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

전송 특성 MOSFET (유형) 다이오드의 전향 특성 (유형)

IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)

VDS=20V Tvj=25°C

  체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

다이오드의 전방적 특성 (유형적) 3rd분자 (유형적)

IDS=f(VDS) IDS=f(VDS

TVj=150°C TVj=25°C

   체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

3의 특징rd쿼드란트 (유형) 게이트 충전 특성 MOSFET (유형)

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

TVj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C

 

체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

용량 특성 MOSFET (유형) 전환 손실 MOSFET (유형)

C=f ((VDS) E=f ((IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V

    체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

스위칭 손실 MOSFET (유형) 일시적 열 인항 MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      체시 마운트 Sic MOSFET 전원 모듈 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

임시 열 인피던스 다이오드

ZthJC=f (t)

 

 

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"1200V 120A SiC MOSFET 반교 모듈"은 반교 구성에 두 개의 실리콘 탄화물 MOSFET을 통합합니다.전압 (1200V) 및 전류 (120A) 를 정확하게 제어합니다.효율적인 냉각은 안정적인 작동에 매우 중요합니다. 자세한 사양은 제조업체의 데이터 시트에서 찾을 수 있습니다.

 

회로 다이어그램 제목 

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패키지 윤곽 

 

 

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