제품 세부 정보
모델 번호: SPS120MB12G6S
지불 및 배송 조건
구성: |
싱글 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
200A |
경향 - 수집기 펄스용 (Icm): |
400A |
모듈 타입: |
IGBT |
장착형: |
섀시 마운트 |
작동 온도: |
-40' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
모듈 |
패키지 종류: |
62mm |
전원 - 맥스: |
600W |
공급자의 장치 패키지: |
62mm |
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스: |
2.5V @ 15V, 100A |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
1200V |
구성: |
싱글 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
200A |
경향 - 수집기 펄스용 (Icm): |
400A |
모듈 타입: |
IGBT |
장착형: |
섀시 마운트 |
작동 온도: |
-40' C ~ 150' C |
패키지 / 케이스: |
모듈 |
패키지 종류: |
62mm |
전원 - 맥스: |
600W |
공급자의 장치 패키지: |
62mm |
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스: |
2.5V @ 15V, 100A |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
1200V |
고체 전력-DS-SPS120MB12G6S-S04310003
1200V 120A SiC MOSFET 절반 다리 모듈
특징:
전형적 신청서:
MOSFET
최대 등급 값/ 최대额定值 |
|||||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
|||
漏极-源极 전압 배수 소스 전압 |
VDSS |
TVj=25°C |
1200 |
V |
|||
连续漏极 직류 전류 연속 DC 배수 전류 |
신분 |
VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
A |
|||
펄冲漏极 전류 펄스드레인 전류 |
신분 맥박 |
펄스 너비 tp제한적 에 의해TVjmax |
480 |
A |
|||
총 전력 손실 전체 전력 분산 |
Ptot |
TC=25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
최고 전압 최대 포트 소스 전압 |
VGSS |
-10/25 |
V |
||||
특징적 인 가치/ 特征값 |
|||||||
항목 |
기호 |
조건 |
미네 타이프. 맥스 |
단위 |
|||
漏极-源极通态电阻 배수원 저항력 |
RDS( 에) |
신분=120A,VGS=20V |
TVj=25°C TVj=125°C TVj=150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 전압 게이트 문정 전압 |
VGS (th) |
IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V |
|
跨导
반도체성 |
gfs |
VDS = 20 V, 난DS = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, 난DS = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
极电荷 게이트 부과 |
본부 |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 내부 게이트 저항기 |
RGint |
TVj=25°C |
2.2 |
오 |
|||
输入电容 입력 용량 |
시스 |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
출력 전력 출력 용량 |
코스 |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
역방향 전송 용량 역전환 용량 |
크레스 |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压漏极 전류 제로 게이트 전압 배수 전류 |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μA |
|||
¥极-源极 누출 전류 게이트 소스 누출 전류 |
IGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延延时间(전기적 부하) 켜기 지연시간 인덕티브 부하 |
td( 에) |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
ns ns ns |
|||
上升时间(전기적 부하) 일어나야 돼 인덕티브 부하 |
tr |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间(전기적 부하) 끄는 지연 시간 인덕티브 부하 |
td(켜) |
신분=120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3.3Ω |
TVj=25°C TVj=125°C TVj=150°C |
128 140
140 |
ns ns ns |
||
下降时间(전기적 부하) 가을 시간, 인덕티브 부하 |
tf |
RGoff=3.3Ω Lσ = 56 nH
인덕티브 부하 |
TVj=25°C TVj=125°C TVj=150°C |
62 62
62 |
ns ns ns |
||
开通 손실 에너지(각 충동) 켜기 에너지 손실 당 맥박 |
에온 |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
mJ mJ |
|||
断断损耗 에너지(각 펄冲) 켜버린 에너지 손실 당 맥박 |
오프 |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
mJ mJ |
结-外 热阻 열 저항성, ju에 대한 케이스 |
RthJC |
일당 MOSFET / 각 MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
작업 온도 온도 그리고er 전환 조건 |
TVjop |
-40 150 |
°C |
|||
다이오드/二极管
최대 등급 값/ 최대额定值 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
||
连续 직류 전류 연속 다이오드 앞면 전류 |
IF |
VGS = -5V, TC = 25 ̊C |
177 |
A |
||
특징적 인 가치/ 特征값 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
미네 타이프. 맥스 |
단위 |
||
정면 전압 전압 |
VSD |
IF=120A, VGS=0V |
TVj=25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 열 저항성, ju에 대한 케이스 |
RthJC |
다이오드당 각 2도 파이프 |
0.30 |
K/W |
||
작업 온도 온도 그리고er 전환 조건 |
TVjop |
-40 150 |
°C |
모듈/ 模块 |
||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
绝缘 테스트 전압 격리 시험 전압 |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
kV |
模块基板材料 소재 모듈 기판 |
큐 |
|||
내부 절제 내부 격리 |
基本绝缘(클래스) 1, 난유럽 연합 61140) 기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140) |
알2O3 |
||
爬电距离 크리핑 거리 |
끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크 끝자-끝자/ 터미널에서 터미널 |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 면허 |
끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크 끝자-끝자/ 터미널에서 터미널 |
23.0 11.0 |
mm |
|
비교 전기 흔적 지수 비교 추적 지수 |
CTI |
> 400 |
항목 |
기호 |
조건 |
미네 |
타이프. |
맥스 |
단위 |
杂散电感,模块 방치 인덕턴스 모듈 |
LsCE |
20 |
nH |
|||
모듈 유도선 전기 저항,끝자-칩 모듈 납 저항, 터미널 - 칩 |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
저장 온도
저장 온도 |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
||
模块安装의 설치 扭矩 장착 토크 모듈 장착 |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子 连接 扭矩 터미널 연결 토크 |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
무게
무게 |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
출력 특성 MOSFET (유형) 출력 특성 MOSFET (유형)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
TVj=25°C TVj=150°C
저항에 대한 정상화 된 배수 소스 (유형적) 저항에 대한 정상화 된 배수 소스 (유형적)
RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)
IDS=120A VGS=20V VGS=20V
저항에 대한 배수 소스 (유형) 임계 전압 (유형)
RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA
MOSFET
전송 특성 MOSFET (유형) 다이오드의 전향 특성 (유형)
IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
다이오드의 전방적 특성 (유형적) 3rd분자 (유형적)
IDS=f(VDS) IDS=f(VDS
TVj=150°C TVj=25°C
3의 특징rd쿼드란트 (유형) 게이트 충전 특성 MOSFET (유형)
IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)
TVj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET
용량 특성 MOSFET (유형) 전환 손실 MOSFET (유형)
C=f ((VDS) E=f ((IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
스위칭 손실 MOSFET (유형) 일시적 열 인항 MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
임시 열 인피던스 다이오드
ZthJC=f (t)
"1200V 120A SiC MOSFET 반교 모듈"은 반교 구성에 두 개의 실리콘 탄화물 MOSFET을 통합합니다.전압 (1200V) 및 전류 (120A) 를 정확하게 제어합니다.효율적인 냉각은 안정적인 작동에 매우 중요합니다. 자세한 사양은 제조업체의 데이터 시트에서 찾을 수 있습니다.
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