제품 세부 정보
모델 번호: SPS40G12E3S
지불 및 배송 조건
콜렉터 방출기 용량: |
170pF |
구성: |
싱글 |
전류 수집기 연속: |
50 A |
전류 수집기 펄스: |
200 A |
게이트전하: |
80 nC |
증가하는 방식: |
구멍을 통해 |
작동 온도 범위: |
-55~150도 |
패키지 종류: |
TO-247 |
패키지 / 건: |
TO-247-3 |
역회복 시간: |
50 나노 초 |
트랜지스터 극성: |
엔-채널 |
전압 콜렉터 이미터 고장 최대값: |
1200 Ｖ |
전압 수집기 발사자 포화성 최대: |
2.2 Ｖ |
전압 게이트 발산자 문점 최대: |
5 Ｖ |
제품 이름: |
igt 트랜지스터 모듈, sic igt 모듈, 트랜지스터 igt |
콜렉터 방출기 용량: |
170pF |
구성: |
싱글 |
전류 수집기 연속: |
50 A |
전류 수집기 펄스: |
200 A |
게이트전하: |
80 nC |
증가하는 방식: |
구멍을 통해 |
작동 온도 범위: |
-55~150도 |
패키지 종류: |
TO-247 |
패키지 / 건: |
TO-247-3 |
역회복 시간: |
50 나노 초 |
트랜지스터 극성: |
엔-채널 |
전압 콜렉터 이미터 고장 최대값: |
1200 Ｖ |
전압 수집기 발사자 포화성 최대: |
2.2 Ｖ |
전압 게이트 발산자 문점 최대: |
5 Ｖ |
제품 이름: |
igt 트랜지스터 모듈, sic igt 모듈, 트랜지스터 igt |
솔리드 파워 DS-SPS40G12E3S-S03010001 V10
1200V 40A IGBT 사소한 것
1200V 40A IGBT
일반 설명
SOLIDPOWER IGBT 디스크리트는 낮은 스위칭 손실과 높은 RBSOA 기능을 제공합니다. 산업 UPS, 충전기, 에너지 저장장치,3단계 태양 전지 인버터, 용접 등
▪ 1200V 트렌치 필드 스톱 기술
▪ SiC SBD 자유 바퀴 다이오드
▪ 변속 손실 이 적다
▪ 낮은 통료
전형적 신청서:
▪ 산업용 UPS
▪ 충전기
▪ 에너지 저장
▪ 인버터
▪ 용접
IGBT IGBT
출력 특성 IGBT 출력 특성 IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
출력 특성 FRD 수집기-발사기 포화 전압 IGBT
IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
FRD IGBT
집합기 발산자 포화 전압 FRD 게이트 발산자 임계 전압 IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
출력 특성 FRD 컬렉터 전류 IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
게이트 충전 특성 용량 특성
VGE (th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE=15V, IC=40A
IGBT IGBT
전환 시간 IGBT 전환 시간 IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
전환 시간 IGBT 전환 시간 IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
전환 시간 IGBT 전환 손실 IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
전환 손실 IGBT 전환 손실 IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=175°C
IGBT IGBT
전환 손실 IGBT 전환 손실 IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=175°C
IGBT IGBT
전환 손실 IGBT 전환 손실 IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
전향 편향 SOA 임시 열 인피던스 IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
이것은 1200V의 전압과 40A의 전류 등급을 가진 분리된 단열 게이트 양극 트랜지스터 (IGBT) 입니다.IGBT는 일반적으로 높은 전압과 전류를 전환하기 위해 전력 전자 응용 프로그램에서 사용됩니다.사양은 이 특정 IGBT가 1200V의 최대 전압과 40A의 최대 전류를 처리 할 수 있음을 나타냅니다.적절한 드라이브 회로와 열 분산 고려 사항은 IGBT의 신뢰성 및 성능을 보장하는 데 중요합니다..
회로 다이어그램 제목
패키지 윤곽
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