1700V 450A IGBT 반브릿지 모듈-고체 전원-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

IGBT, 인버터 / IGBT, 역변수

최대 등급 값/ 최대 금액值

항목

기호

조건

가치

단위

集电极-发射极电压

수집기 발산기전압

VCES

Tvj=25°C

1700

V

连续集 전극 직류 전류

연속 DC 콜레전류

난C 이름

TC=100°C, Tvjmax=175°C

450

A

集电极重复峰值电流 전류

정점 반복가중 수집기 전류

난CRM

tp=1ms

900

A

极- 발사极峰值 전압

최대 턱e-emitter 전압

VGES

±20

V

성격이스틱 값/ 特征값

항목

기호

조건

미네 타이프. 맥스

단위

集電极- 발사极 和电压

콜렉터-에미터 (collector-emitter saturati)전압

VCE(앉아있었다)

난C=450A,VGE=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.70

1.95 2.00

2.00

V

V

V

极 值 전압

게이트 임계전압

VGE (th)

난C=17mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

5.1 5.9 6.6

V

极电荷

게이트 부과

QG

VGE=-15V +15V

2.42

uC

内部 极电阻

내부 게이트 저항기

R진트

Tvj=25°C

2.2

오

输入电容

입력 제한아시탄스

Cᄋ

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

37.5

nF

역방향 전송 용량

역전환스피어 용량

Cres

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=10V, VGE=0V

0.63

nF

集电极-发射极截止电流 발사极截止电流

수집기 발산기 절단점 c임대료

난CES

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj=25°C

3.00

mA

¥极-방출极漏电流

게이트 발산기 누출 전류

난GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

400

nA

开通延延时间(전기적 부하)

켜기 지연시간 인덕티브 부하

td( 에)

난C=450A, VCE=900V

VGE=±15V

R콩=3.3Ω

R고프=3.3Ω

인덕티브 로아d,

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

215

240

245

ns

ns

ns

上升时间(전기적 부하)

일어나야 돼 인덕티브 부하

tr

100

125

130

ns

ns

ns

关断延迟时间(전기적 부하)

턴오프 d이레이 시간, 인덕티브 부하

td(켜)

575

720

740

ns

ns

ns

下降时间(전기적 부하)

가을 시간, 인덕티브 부하

tf

385

670

715

ns

ns

ns

开通 손실 에너지(각 충동)

켜기 에너지 손실 당 뽀이세

E에

135

223

241

mJ

mJ

mJ

断断损耗 에너지(각 펄冲)

켜버린 에너지 손실 당 맥박

E켜

103

159

167

mJ

mJ

mJ

短路 데이터

SC 데이터

난SC

VGE≤15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- LsCE·d/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

1400

A

结-外 热阻

열 저항성, ju에 대한 케이스

R이JC

일당 IGBT / 각 IGBT

0.07

K/W

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

Tvjop

-40150

°C

다이오드, 인버터/ 2极管, 역변수

최대 등급 값/ 최대액定值

항목

기호

조건

가치

단위

역방향 반복 최고 전압

정점 반복적 역전압e

VRRM

Tvj=25°C

1700

V

连续 직류 전류

연속 DC를 위해워크 전류

난F

450

A

正向重复 峰值 전류

정점 반복적인 전류

난FRM

tp=1ms

900

A

성격이스틱 값/ 特征값

항목

기호

조건

미네 타이프. 맥스

단위

정면 전압

전압

VF

난F=450A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1.80

1.95 1.95

2.10

V

V

V

반향 회복 최고 전류

정점 뒤집어 회수 c임대료

난RM

난F=450A

-디F/dt켜=5200A/μs

VR =900V

VGE=-15V

Tvj=25°C 490

Tvj=125°C485

Tvj=150°C485

A

A

A

恢复 전하

회수 수수료

Qr

Tvj=25°C90

Tvj=125°C 185

Tvj=150°C 200

uC

uC

uC

역방향 회복 손실 (각 충동)

뒤집어 회수 에너지 (주당 맥박)

E레크

Tvj=25°C 43

Tvj=125°C 87

Tvj=150°C 95

mJ

mJ

mJ

结-外 热阻

열 저항성, ju에 대한 케이스

R이JC

다이오드당/ 각 2도 파이프

0.09

K/W

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

Tvjop

-40 150

°C

NTC-더미스터 / 负温度系数 热敏电阻

특징적 인 가치/特征值

항목

기호

조건

가치

단위

额定 전기 저항 값

등급 리시스탕스

R25

TC=25°C

5.00

kΩ

B-值

B값

B25/50

3375

K

모듈/ 模块

항목

기호

조건

가치

단위

绝缘 테스트 전압

격리시험 전압

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

3.4

kV

模块基板材料

소재 모듈 기판

큐

내부 절제

내부 격리

基本绝缘(클래스) 1, 난유럽 연합 61140)

기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140)

알2오3

爬电距离

크리페이지탕스

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

14.5

13.0

mm

电气间隙

면허

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

12.5

10.0

mm

비교 전기 흔적 지수

비교 추적 지수

CTI

> 200

항목

기호

조건

미네

타이프.

맥스

단위

杂散电感,模块

방치 인덕턴스 모듈

LsCE

20

nH

모듈 유도선 전기 저항,끝자-칩

모듈 납 저항, 터미널 - 칩

RCC+EE

TC=25°C

1.10

mΩ

저장 온도

저장 시간횡단

Tstg

-40

125

°C

模块安装의 설치 扭矩

장착 톱에 대해 모듈 장착

M5

3.00

6.00

Nm

端子 连接 扭矩

터미널 연결n 토크

M6

3.00

6.00

Nm

무게

무게

G

345

g