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1200V 600A IGBT 반브릿지 모듈-고체 전원-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

제품 세부 정보

브랜드 이름: SPS

모델 번호: SPS600B12D3A4

지불 및 배송 조건

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솔리드 파워 IGBT 반 브릿지 모듈

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1200V IGBT 반 브릿지 모듈

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600A IGBT 반교통 모듈

1200V 600A IGBT 반브릿지 모듈-고체 전원-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

솔리드 파워 DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

1200V 600A IGBT 반 브릿지 모듈

1200V 600A IGBT 반브릿지 모듈-고체 전원-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0 0

특징:
1200V 트렌치 + 필드 스톱 기술
 신속하고 부드러운 역 회복을 가진 자유 바퀴 다이오드
 양 온도 계수인 VCE (sat)
 단회로 경직성
 
전형적인 응용 프로그램:
 모터/서보 드라이브
 풍력 터빈 변환기
 PV 인버터
 에너지 저장 장치
UPS

 

IGBT, 인버터/ IGBT반대로变器

 

최대 등급 값/최대额定值

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

 

集电极-发射极电压

 

수집품이터 전압

 

VCES

 

Tvj=25°C ,VGE=0V

 

 

1200

 

 

V

 

连续集 전극 직류 전류

 

연속 DC 컬렉터 전류

 

C 이름

 

TC=105°C Tvjmax=175°C

 

 

600

 

 

A

 

集电极重复峰值电流 전류

 

정점 반복적 수집기 전류

 

CRM

 

tp=1ms

 

1200

 

A

 

极- 발사极峰值 전압

 

최대 게이트 발사자 v노화

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

특징적 인 가치/ 特征值

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네 틱, 맥스

 

단위

 

集电极-发射极 和电압력

수집기 발산기 포화 전압

 

 

VCE(앉아있었다)

 

C=600A,VGE=15V

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

1.53

1.71

1.83

 

V

V

V

 

极 值 전압

 

게이트 임계 전압

 

VGE (th)

 

C=24mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

5.5

 

V

 

极电荷

게이트 요금e

 

QG

 

VGE=-15V +15V C=600A, VCE=600V

 

 

4.1

 

 

uC

 

内部 极电阻

 

내부 게이트 저항

 

R진트

 

Tvj=25°C

 

2

 

 

输入电容

 

입력 용량

 

C

 

Tvj=25°C,

 

 

76

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 발사极截止电流

 

수집가...방출기 차단 전류

 

CES

 

VCE=1200V, VGE=0V,

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=175°C

 

0.1

0.35

12

 

mA

mA

mA

 

极- 발사极漏电流

 

게이트 발사s 누출 전류

 

GES

 

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C

 

-150 150

 

nA

 

开通延延时间(전감负)

 

 

td()

 

Tvj=25°C Tvj=125°C

 

435

 

488

 

ns

ns

 

켜기 지연 시간, 인덕티브 로드

 

 

Tvj=175°C

 

510

 

ns

 

上升时间(전기적 부하)

 

 

Tvj=25°C

 

156

 

ns

 

상승 시간

tr

 

Tvj=125°C Tvj=175°C

 

202

 

225

ns

ns

 

 

关断延迟时间(전기 감각负载)

 

켜기 지연 시간, 인덕티브 로드

 

td()

 

C=600A, VCC =600V

VGE=±15V

RG=0.51Ω

CGE=0 nF

 

인덕티브 L오드

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=175°C

 

Tvj=25°CTvj=125°C Tvj=175°C

 

385

417

 

427

 

ns

ns

ns

 

下降时间(전기적 부하)

추락 시간, 인덕티브부하

 

tf

 

112

148

 

176

 

ns

ns

ns

 

开通 손실 에너지(각脉)

   

 

95

 

mJ

 

펄스당 켜기 에너지 손실

 

E

 

 

140

 

171

 

mJ

mJ

 

断断损耗 에너지(각 펄冲)

   

 

67

 

mJ

 

켜기 에너지 손실 1 인치se

 

E

 

 

99

 

115

 

mJ

mJ

 

短路 데이터

SC 데이터

 

SC

 

VGE=15V, VCC=900V

 

VCEM CHIP ≤1200V ,Tvj=175°C

 

2500

 

A

 

结-外 热阻

 

저항앙스, 융합 케이스

 

R이JC

 

IGBT당 /IGBT

 

0.05

 

K/W

 

작업 온도

 

스위치 상태 온도 c조건

 

Tvjop

 

 

-40150

 

°C

 

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