제품 세부 정보
모델 번호: SPS600B12G6
지불 및 배송 조건
컬렉터전류: |
100A |
컬렉터-이미터 전압: |
1200V |
전류: |
100A |
게이트전하: |
100nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
분리 전압: |
2500V |
최대 작업 온도: |
150' C |
증가하는 방식: |
스크루 |
출력 전류: |
100A |
패키지 종류: |
62mm |
역회복 시간: |
100 나노 초 |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
0.2°C/W |
전압: |
1200V |
컬렉터전류: |
100A |
컬렉터-이미터 전압: |
1200V |
전류: |
100A |
게이트전하: |
100nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
분리 전압: |
2500V |
최대 작업 온도: |
150' C |
증가하는 방식: |
스크루 |
출력 전류: |
100A |
패키지 종류: |
62mm |
역회복 시간: |
100 나노 초 |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
0.2°C/W |
전압: |
1200V |
솔리드 파워 DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
특징:
전형적인 응용 프로그램:
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
격리 시험 전압 |
VISOL | RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|||
모듈 기판의 재료 |
큐 |
||||||
내부 격리 |
(클래스 1, IEC 61140) 기본 단열 (클래스 1, IEC 61140) |
알2O3 |
|||||
크리핑 거리 |
크리프 | 온도 싱크로 연결 | 29.0 |
mm |
|||
크리프 | 터미널에서 터미널 | 23.0 | |||||
면허 |
d명료 | 온도 싱크로 연결 | 23.0 |
mm |
|||
d명료 | 터미널에서 터미널 | 11.0 | |||||
비교 추적 지수 |
CTI |
>400 |
|||||
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
방랑 인덕턴스 모듈 |
LsCE |
20 |
nH |
||||
모듈 납 저항, 단말기 - 칩 |
RCC+EE | TC=25°C |
0.70 |
mΩ |
|||
저장 온도 |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
|||
모듈 장착에 필요한 장착 토크 |
M6 |
3.0 |
6.0 |
Nm |
|||
터미널 연결 토크 |
M6 |
2.5 |
5.0 |
Nm |
|||
무게 |
G |
320 |
g |
IGBT
최대등급값 / 최대额定值
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |
콜렉터-에미터 전압 |
VCES | TVj=25°C |
1200 |
V |
|
최대 게이트 발사자 전압 |
VGES |
±20 |
V |
||
일시적인 게이트 발사자 전압 |
VGES | tp≤10μs,D=001 |
±30 |
V |
|
연속 DC 컬렉터 전류 |
IC | TC=25°C | 700 |
A |
|
TC=80°C | 550 | ||||
펄스 컬렉터 전류,tp Tjmax로 제한 |
IC 펄스 |
1200 |
A |
||
전력 소모 |
Ptot |
2142 |
W |
특징적 값 / 特征值
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
集電极- 발사极 和电压 콜렉터-에미터 포화 전압 |
VCE (sat) | IC=600A, VGE=15V | TVj=25°C | 2.00 | 2.40 |
V |
|
Tvj=125°C | 2.40 | ||||||
TVj=150°C | 2.50 | ||||||
极 值 전압 게이트 문정 전압 |
VGE (th) | VCE=VGE, IC=24mA |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
|
集电极-发射极截止电流 콜렉터-에미터 차단 전류 |
ICES | VCE=1200V, VGE=0V | TVj=25°C | 100 | μA | ||
TVj=150°C | 5 | mA | |||||
极- 발사极漏电流 게이트-에미터 누출 전류 |
IGES | VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=25°C |
-200원 |
200 |
nA |
||
极电荷 게이트 요금 |
본부 | VCE=600V, IC=600A, VGE=±15V | 5.0 | μC | |||
输入电容 입력 용량 |
시스 | VCE=25V, VGE=0V, f=100kHz | 80.0 |
nF |
|||
출력 전력 출력 용량 |
코스 | 2.85 | |||||
역방향 전송 용량 역전환 용량 |
크레스 | 1.48 | |||||
内部 极电阻 내부 게이트 저항 |
RGint | TVj=25°C | 2 | 오 | |||
开通延延时间 (전기감 부담) 켜기 지연 시간, 인덕티브 로드 |
켜져있어요 | VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω,VGE=±15V | TVj=25°C | 340 | ns | ||
Tvj=125°C | 376 | ns | |||||
TVj=150°C | 384 | ns | |||||
上升时间 (电感负载) 상승 시간, 인덕티브 로드 |
tr | TVj=25°C | 108 | ns | |||
Tvj=125°C | 124 | ns | |||||
TVj=150°C | 132 | ns | |||||
关断延迟时间 (전기부하) 끄는 지연 시간, 인덕티브 로드 |
td (제장) | VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω,VGE=±15V | TVj=25°C | 616 | ns | ||
Tvj=125°C | 676 | ns | |||||
TVj=150°C | 682 | ns | |||||
下降时间 (電感负载) 추락 시간, 인덕티브 로드 |
tf | TVj=25°C | 72 | ns | |||
Tvj=125°C | 76 | ns | |||||
TVj=150°C | 104 | ns | |||||
开通损耗能量 (동맥) 펄스당 켜기 에너지 손실 |
에온 | VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω,VGE=±15V | TVj=25°C | 57.9 | mJ | ||
Tvj=125°C | 82.2 | mJ | |||||
TVj=150°C | 91.4 | mJ | |||||
关断损耗能量 (각 충동) 펄스당 에너지 손실 |
오프 | TVj=25°C | 45.2 | mJ | |||
Tvj=125°C | 55.3 | mJ | |||||
TVj=150°C | 58.7 | mJ | |||||
短路 데이터 SC 데이터 |
ISC |
VGE≤15V, VCC=800V |
tp≤10μs TVj=150°C |
2500 |
A |
||
IGBT 결합-외부 熱阻 IGBT 열 저항, 연결 케이스 |
RthJC | 0.07 | K /W | ||||
작업 온도 작동 온도 |
TJop | -40 | 150 | °C |
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |
역방향 반복 최고 전압 반복되는 역전압 |
VRRM | TVj=25°C |
1200 |
V |
|
连续 직류 전류 연속 동전 전류 |
IF |
600 |
A |
||
二极管 정면이 아닌 重复 峰值 전류 다이오드 펄스 전류,tp TJmax로 제한 |
IF 펄스 |
1200 |
|||
특징적 값 / 特征值
항목 | 기호 | 조건 | 가치 | 단위 | |||
미네 | 타이프. | 맥스 | |||||
정면 전압 전압 |
VF | IF=600A, VGE=0V | TVj=25°C | 1.65 | 2.00 |
V |
|
Tvj=125°C | 1.80 | ||||||
TVj=150°C | 1.80 | ||||||
반향 회복 시간 역회복 시간 |
Trr |
IF=600A dIF/dt=-4900A/μs (Tvj=150°C) VR=600V VGE=-15V |
TVj=25°C | 224 |
ns |
||
Tvj=125°C | 300 | ||||||
TVj=150°C | 335 | ||||||
반향 회복 최고 전류 최고 역회복 전류 |
IRRM | TVj=25°C | 624 |
A |
|||
Tvj=125°C | 649 | ||||||
TVj=150°C | 665 | ||||||
역방향 회복 전하 회수 수수료 |
QRR | TVj=25°C | 95 |
μC |
|||
Tvj=125°C | 134.9 | ||||||
TVj=150°C | 147.4 | ||||||
역방향 회복 손실 (각 충동) 역회복 에너지 손실 당 펄스 |
에레크 | TVj=25°C | 35.4 |
mJ |
|||
Tvj=125°C | 49.7 | ||||||
TVj=150°C | 55.9 | ||||||
二极管结-外?? 热阻 다이오드 열 저항, 연결 케이스 |
RthJCD |
0.13 |
K /W |
||||
작업 온도 작동 온도 |
TJop |
-40 |
150 |
°C |
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