제품 세부 정보
모델 번호: SPS150B17G3
지불 및 배송 조건
컬렉터전류: |
200A |
컬렉터-이미터 전압: |
±1200V |
전류: |
200A |
게이트전하: |
100nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
모듈 크기: |
34 밀리미터 |
모듈 타입: |
IGBT |
증가하는 방식: |
스크루 |
작동 온도 범위: |
+150' C에 대한 -40' C |
패키지 종류: |
모듈 |
전력 소모: |
500W |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
0.1°C/W |
전압: |
1200V |
컬렉터전류: |
200A |
컬렉터-이미터 전압: |
±1200V |
전류: |
200A |
게이트전하: |
100nC |
게이트 방사체 전압: |
±20V |
모듈 크기: |
34 밀리미터 |
모듈 타입: |
IGBT |
증가하는 방식: |
스크루 |
작동 온도 범위: |
+150' C에 대한 -40' C |
패키지 종류: |
모듈 |
전력 소모: |
500W |
전환 주파수: |
20kHz |
열 저항: |
0.1°C/W |
전압: |
1200V |
소형 전력-DS-SPS150B17G3-S04010005
1200V 75A IGBT 절반 다리 모듈
IGBT, 인버터 최대 등급 값 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
||
集电极-发射极电压 콜렉터-에미터 전압 |
VCES |
TVj=25°C |
1700 |
V |
||
连续集 전극 직류 전류 연속 DC 수집기 전류 |
IC |
150 |
A |
|||
集电极重复峰值电流 전류 정점 반복가중 수집기 전류 |
ICRM |
tp=1ms |
300 |
A |
||
총 전력 손실 전체 전력 분산 |
Ptot |
TC=25°C, Tvj=175°C |
880 |
W |
||
极- 발사极峰值 전압 최대 게이트 발사자 전압 |
VGES |
±20 |
V |
|||
최고 结温 최대 접합 온도 |
TVJ, 최대 |
175 |
°C |
|||
특징적 인 가치/ 特征值 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
최소, 최대, 최대 |
단위 |
||
集電极- 발사极 和电压 콜렉터-에미터 포화 전압 |
VCE(앉아있었다) |
IC=150A,VGE=15V |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.67 1.90 1.96 |
1.90 |
V V V |
极 值 전압 게이트 문정 전압 |
VGE (th) |
IC=17mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
50.0 6.0 6.8 |
V |
||
极电荷 게이트 부과 |
본부 |
VGE=-15V...+15V |
0.86 |
uC |
||
内部 极电阻 내부 게이트 저항기 |
RGint |
TVj=25°C |
7.2 |
오 |
||
输入电容 입력 용량 |
시스 |
f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V |
12.6 |
nF |
||
역방향 전송 용량 역전환 용량 |
크레스 |
f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=10V, VGE=0V |
0.20 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 발사极截止电流 수집기 발산기 차단 전류 |
ICES |
VCE=1700V, VGE=0V, Tvj=25°C |
3.00 |
mA |
||
¥极-방출极漏电流 게이트 발산기 누출 전류 |
IGES |
VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C |
400 |
nA |
||
开通延延时间(전기적 부하) 켜기 지연시간 인덕티브 부하 |
td(에) |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
326 339
345 |
ns ns ns |
||
上升时间(전기적 부하) 일어나야 돼 인덕티브 부하 |
tr |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
106 118
126 |
ns ns ns |
||
关断延迟时间(전기적 부하) 끄는 지연 시간 인덕티브 부하 |
td(켜) |
IC=150A, VCE=900V VGE=±15V RGon=5Ω RGoff=5Ω
인덕티브 부하 |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C
TVj=150°C |
165 189
213 |
ns ns ns |
|
下降时间(전기적 부하) 가을 시간, 인덕티브 부하 |
tf |
757 924
950 |
ns ns ns |
|||
开通 손실 에너지(각 충동) 켜기 에너지 손실 당 맥박 |
에온 |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
47.1 58.9 63.7 |
mJ mJ |
||
断断损耗 에너지(각 펄冲) 켜버린 에너지 손실 당 맥박 |
오프 |
TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
31.2 39.9 42.5 |
mJ mJ |
||
短路 데이터 SC 데이터 |
ISC |
VGE≤15V, VCC=1000V VCEmax=VCES- LsCE·d/dt, tp=10μs, Tvj=150°C |
600 |
A |
结-外 热阻 열 저항, j기름부음 케이스 |
R이JC |
일당 IGBT / 각IGBT |
0.17 |
K/W |
||
작업 온도 온도 그리고er 전환 조건 |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
다이오드, 인버터/ 二极管, 역변수 최대 등급 값/ 최대额定值 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
||
역방향 반복 최고 전압 정점 반복적 역전압e |
VRRM |
Tvj=25°C |
1700 |
V |
||
连续 직류 전류 연속 DC를 위해워크 전류 |
난F |
150 |
A |
|||
正向重复 峰值 전류 정점 반복적인 전류 |
난FRM |
tp=1ms |
300 |
A |
||
특징적 인 가치/ 特征值 |
||||||
항목 |
기호 |
조건 |
미네 타이프. 맥스 |
단위 |
||
정면 전압 전압 |
VF |
난F=150A |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.92 2.112.09 |
2.30 |
V V V |
반향 회복 최고 전류
정점 뒤집어 회수 c임대료 |
난RM |
난F=150A -디F/dt켜=2000A/μs VR =900V
VGE=-15V |
Tvj=25°C98 Tvj=125°C 119
Tvj=150°C 119 |
A A A |
||
恢复 전하 회수 수수료 |
Qr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
21.4 36.7 42.0 |
uC uC uC |
||
역방향 회복 손실 (각 충동) 뒤집어 회수 에너지 (주당 p부종) |
E레크 |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
10.6 19.5 21.9 |
mJ mJ mJ |
||
结-外 热阻 열 저항, j기름부음 케이스 |
R이JC |
다이오드당/ 각 2도 파이프 |
0.30 |
K/W |
||
작업 온도 온도 그리고er 전환 조건 |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
모듈/ 模块 |
||||
항목 |
기호 |
조건 |
가치 |
단위 |
绝缘 테스트 전압 격리시험 전압 |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
kV |
模块基板材料 소재 모듈 기판 |
큐 |
|||
내부 절제 내부 격리 |
基本绝缘(클래스) 1, 난유럽 연합 61140) 기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140) |
알2오3 |
||
爬电距离 크리족 페이지 거리 |
끝자-散热片/ 터미널로 h싱크대를 먹어 끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일 |
17.0 20.0 |
mm |
|
电气间隙 면허 |
끝자-散热片/ 터미널로 h싱크대를 먹어 끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일 |
17.0 9.5 |
mm |
|
비교 전기 흔적 지수 비교 추적 지수 |
CTI |
> 200 |
항목 |
기호 |
조건 |
미네 |
타이프. |
맥스 |
단위 |
杂散电感,模块 방치 인덕턴스 모듈 |
LsCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻,端子 模块引脚电阻,端子-칩
모듈 납 저항력 ,터미널-C엉덩이 |
RCC??+EE?? RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
저장 온도
저장 시간횡단 |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 장착 토크에 대한 모듈 장착 |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
模块安装的安装扭距 장착 토크에 대한 모듈 장착 |
M |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
무게 무게 |
G |
160 |
g |
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