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1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

제품 세부 정보

모델 번호: SPS75B17G3

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75A H 브릿지 IGBT 모듈

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1700V H 브릿지 IGBT 모듈

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1700V IGBT 모듈

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

솔리드 파워 DS-SPS75B17G3-S04010014 V10.

 

1700V 75A IGBT 절반 다리 모듈

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

특징:

  • 1700V 트렌치 게이트 및 필드 스톱 구조
  • 높은 단회로 용량
  • 낮은 전환 손실
  • 높은 신뢰성
  • 양 온도 계수

 

 

전형적 신청서:

  • 모터 드라이브
  • 세르보 드라이브
  • 인버터 및 전원 공급 장치
  • 태양광

 

IGBT, 인버터 / IGBT, 역변수

최대등급값 / 최대额定值

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

 

集电极-发射极电压

콜렉터 발행r 전압

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集 전극 직류 전류

연속 DC 콜레전류

 

C 이름

 

 

75

 

 

A

 

集电极重复峰值电流 전류

정점 반복가중 수집기 전류

 

CRM

 

tp=1ms

 

150

 

A

 

총 전력 손실

전체 전력 분산의정

 

P

 

TC=25°C,Tvjmax=175°C

 

535

 

W

 

极- 발사极峰值 전압

최대 턱e-emitter 전압

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

최고 结温

최대 접점n 온도

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

성격이스틱 값/ 特征值

 

항목

 

기호

 

조건

 

최소, 최대, 최대

 

단위

 

集電极- 발사极 和电压

수집기 발산기 s튜레이션 전압

 

VCE(앉아있었다)

 

C=75,VGE=15V

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值 전압

게이트 임계전압

 

VGE (th)

 

C=3mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

极电荷

게이트 부과

 

 

QG

 

VGE=-15V +15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

내부 게이트 저항기

 

R진트

 

Tvj=25°C

 

10.8

 

 

输入电容

입력 제한아시탄스

 

 

C

 

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

역방향 전송 용량

역전환스피어 용량

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 발사极截止电流

수집기 발산기 ff 전류

 

CES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

3.00

 

mA

 

¥极-방출极漏电流

게이트 발산기 누출 전류

 

GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延延时间(전기적 부하)

켜기 지연시간 인덕티브 부하

 

 

td()

 

 

 

 

 

 

 

C=75A, VCE=900V

VGE=±15V

R=6.6Ω

R고프=6.6Ω

 

인덕티브 로아d,

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

174

184

 

188

 

ns

ns

ns

 

上升时间(전기적 부하)

일어나야 돼 인덕티브 부하

 

tr

 

80

83

 

81

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(전기적 부하)

턴오프 d이레이 시간, 인덕티브 부하

 

td()

 

319

380

 

401

 

ns

ns

ns

 

下降时间(전기적 부하)

가을 시간, 인덕티브 부하

 

tf

 

310

562

 

596

 

ns

ns

ns

 

开通 손실 에너지(각 충동)

켜기 에너지 손실 이세

 

 

E

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

断断损耗 에너지(각 펄冲)

켜버린 에너지 손실 맥박

 

E

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

短路 데이터

SC 데이터

 

SC

 

VGE≤15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- LsCE·d/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

 

 

240

 

A

 

结-外 热阻

저항성, ju에 대한 케이스

 

 

R이JC

 

 

일당 IGBT / IGBT

 

 

0.28 K/W

 

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

 

Tvjop

 

 

-40 150 °C

 

다이오드, 인버터/ 二极管, 역변수

최대 등급 값/ 최대额定值

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치 단위

 

역방향 반복 최고 전압

정점 반복적 역전압e

 

 

VRRM

 

 

Tvj=25°C

 

1700 V

 

连续 직류 전류

연속 DC를 위해워크 전류

 

 

F

 

 

75 A

 

正向重复 峰值 전류

정점 반복적인 전류

 

FRM

 

 

tp=1ms

 

150A

 

성격이스틱 값/ 特征值

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네 타입 최대 단위

 

정면 전압

전압

 

 

VF

 

F=75A

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

반향 회복 최고 전류

 

정점 뒤집어 회수 c임대료

 

RM

 

 

F=75A

-디F/dt=1100A/μs

VR =900V

 

VGE=-15V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

85

101

 

108

 

A

A

A

 

恢复 전하

회수 수수료

 

Qr

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

역방향 회복 손실 (각 충동)

뒤집어 회수 에너지 (주당 맥박)

 

E레크

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

저항성, ju에 대한 케이스

 

R이JC

 

다이오드당/ 각 2도 파이프

 

0.48 K/W

 

작업 온도

온도 그리고er 전환 조건

 

 

Tvjop

 

 

 

-40 150 °C

 

 

모듈 / 模块

 

항목

 

기호

 

조건

 

가치

 

단위

s

 

绝缘 테스트 전압

격리시험 전압

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

소재 모듈 기판

   

 

 

 

내부 절제

내부 격리

 

 

基本绝缘(클래스) 1, 유럽 연합 61140)

기본 단열 (클래스) 1, IEC 61140)

 

23

 

 

爬电距离

크리페이지탕스

 

 

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

면허

 

 

끝자-散热片/ 터미널 to 히트 싱크

끝자-끝자/ 터미널에서 ter미나일

 

17

9.5

 

 

mm

 

비교 전기 흔적 지수

비교 추적 지수

 

CTI

 

 

>200

 

 

 

항목

 

기호

 

조건

 

미네

 

타이프.

 

맥스

 

단위

 

杂散电感,模块

방치 인덕턴스 모듈

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 模块引脚电阻, 端子-

 

모듈 저항력 ,터미널-C엉덩이

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

저장 온도

 

저장 시간횡단

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

장착 톱에 대해 모듈 장착

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 联接扭距

터미널 연결n 토크

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

무게

 

무게

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

출력 특성 IGBT, 인버터 (유형) 출력 특성 IGBT, 인버터 (유형)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

전송 특성 IGBT, 인버터 (유형) 전환 손실 IGBT, 인버터 (유형)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

전환 손실 IGBT, 인버터 (유형) 전환 손실 IGBT, 인버터 (유형)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

스위칭 손실 IGBT, 인버터 (유형적) 일시 열 인피던스 IGBT, 인버터

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT,RBSOA

역편차 안전 작동 영역 IGBT, 인버터 (RBSOA) 다이오드, 인버터의 전향 특성 (유형)

C=f(VCE)F=f(VF)

VGE=±15V, R고프=6.6Ω, Tvj=150°C

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

스위치 손실 다이오드, 인버터 (유형) 스위치 손실 다이오드, 인버터 (유형)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

임시 열 인피던스 다이오드, 인버터

ZthJC=f (t)

1700V 75A H 브릿지 IGBT 모듈 DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

"1700V IGBT"는 최대 전압 1700 볼트까지 처리할 수 있는 단열 게이트 양극 트랜지스터이다.고전력 인버터와 같이, 모터 드라이브 또는 전원 공급 장치. 적절한 냉각 및 게이트 드라이브 회로는 최적의 성능을 위해 필수적입니다. 자세한 사양은 제조업체의 데이터 시트에서 찾을 수 있습니다.

 

 

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회로 다이어그램 제목 

 

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패키지 윤곽 

 

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